эпитаксиально

эпитаксиально
epitaxially

Русско-английский научный словарь.

Игры ⚽ Поможем решить контрольную работу

Look at other dictionaries:

  • эпитаксиально-планарная интегральная схема — epitaksinis planarusis integrinis grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial planar integrated circuit vok. epitaxial planare Mikroschaltung, f rus. эпитаксиально планарная интегральная схема, f pranc. circuit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • эпитаксиально-выращенный феррит — epitaksinis feritas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxially grown ferrite vok. epitaxialgezüchteter Ferrit, m rus. эпитаксиально выращенный феррит, f pranc. ferrite obtenu par croissance épitaxiale, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или чипе ) полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества… …   Энциклопедия Кольера

  • ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

  • МАГНИТОСТАТЙЧЕСКИЕ ВОЛНЫ — медленные эл. магн. волны (с фазовой скоростью v ф< с), сопровождающие колебания спинов в магнитоупорядоченном веществе. Обычно в приближении M. в. рассматривают ДВ колебания спинов, в динамике к рых влиянием обменных взаимодействий можно… …   Физическая энциклопедия

  • МЕЖЗЁРЕННЫЕ ГРАНИЦЫ — поверхности раздела между различно ориентированными областями (зернами) поликристалла. Многие физ. свойства зависят от числа и строения M. г. К ним относятся как свойства, связанные с переносом электронов, фононов, атомов и др.… …   Физическая энциклопедия

  • ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… …   Химическая энциклопедия

  • Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… …   Википедия

  • Сверхрешётка — GaAs/AlAs и профиль потенциала электронов проводимости и вакантных состояний вдоль направления роста структуры (z). В физике полупроводников под термином сверхрешётка принято понимать твердотельную структуру, в которой помимо периодического… …   Википедия

  • Однопереходный транзистор — (ОПТ)  полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству тиристоров. Содержание 1 Устройство и обозначение 2 История …   Википедия

  • Сверхрешетка — В физике полупроводников под термином сверхрешётка принято понимать твердотельную структуру, в которой помимо периодического потенциала кристаллической решётки имеется дополнительный потенциал, период которого существенно превышает постоянную… …   Википедия

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”